2025年4月16日，中子技术应用研究中心研发的紧凑型D-D中子发生器装置在技术性能上取得重大突破：中子产额达到5E9n/s并实现连续48小时稳定运行（如图1所示）。目前该紧凑型D-D中子源性能处于国内领先、国际一流的水平。

 图1. 48小时中子产额随时间演化图

该成果由中心钱玉忠副研究员团队主导完成。项目团队所经历了技术学习、关键技术突破及性能工程标准化三个研发阶段，突破了诸多关键技术，主要技术指标达到1×10¹⁰ n/s，较国内同类设备提升1个数量级。所研发设计的中子源具有小型化与高度集成的特点，其整体尺寸小于1.5m³（如下图2所示）。

图2. 紧凑型D-D中子源装置实物图

同时，研究团队正在对此装置进行优化，下一步预期实现中子产额达到1E10n/s稳定运行，为加速器中子源应用领域开拓新的方向，为国民经济发展注入新的动力。